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作者： imtoken中文官网

2024-03-08 03:18:42

沈波（北京大学教授、宽禁带半导体研究中心副主任）_百度百科

京大学教授、宽禁带半导体研究中心副主任）_百度百科网页新闻贴吧知道网盘图片视频地图文库资讯采购百科百度首页登录注册进入词条全站搜索帮助首页秒懂百科特色百科知识专题加入百科百科团队权威合作下载百科APP个人中心沈波是一个多义词，请在下列义项上选择浏览（共42个义项）添加义项收藏查看我的收藏0有用+10沈波播报讨论上传视频北京大学教授、宽禁带半导体研究中心副主任沈波，中国国籍，1963年7月出生于江苏省扬州市，教授、博士生导师、国家杰出青年基金获得者。现任北京大学物理学院副院长、宽禁带半导体研究中心副主任、北京大学理学部副主任。 [1] [3]中文名沈波国籍中国出生日期1963年7月毕业院校南京大学出生地江苏省扬州市职务北京大学宽禁带半导体研究中心副主任目录1人物经历2研究方向3主要贡献人物经历播报编辑1963年7月出生于江苏省扬州市；1985年7月毕业于南京大学物理系半导体专业，获学士学位；1988年7月毕业于中国科技大学物理系半导体专业，获硕士学位；1995年3月毕业于日本东北大学材料科学研究所 (IMR)，获博士学位；2000年晋升教授；2003年获国家杰出青年科学基金；曾任日本东京大学产业技术研究所 (IIS) 客座研究员、东京大学先端科技研究中心(RCAST) 客座教授、日本千叶大学电子学与光子学研究中心客座教授、日本产业技术综合研究所(AIST)访问教授。现为北京大学物理学院副院长、宽禁带半导体研究中心副主任、北京大学理学部副主任。 [3]研究方向播报编辑（一）宽禁带半导体量子结构材料与器件。（二）宽禁带半导体低维物理。主要研究内容包括 [2]：III族氮化物半导体异质结构和量子阱的外延生长和缺陷控制，III族氮化物半导体功率电子器件与器件物理，III族氮化物半导体深紫外发光材料和器件，新型半导体低维结构的量子输运和自旋性质主要贡献播报编辑中国教育学会学校辅导专业委员会会员、省教育学会会员、省心育名师、市学科带头人、市中学生先进集体班主任、区党代会代表。主持、参加多项省级立项课题研究，省课题研究先进个人。多篇论文在全国、省市级评比中获一、二等奖并在国家核心期刊发表。曾参加南京市中考命题工作。开设国家、省、市级讲座、公开课二十余节。主编教材4本，参与编写教材、教辅书籍48本。1995年开始从事III族氮化物（GaN基）宽禁带半导体物理、材料和器件研究，在强极化、高能带阶跃体系中二维电子气输运规律、GaN基异质结构外延生长和缺陷控制等方面取得在国内外同行中有一定影响的重要进展，近年在GaN基异质结构二维电子气自旋性质、GaN基量子阱子带跃迁器件等方面取得一系列进展。先后主持和作为核心成员参加了国家“863”计划项目、国家“973”计划项目、国家自然科学基金重大、重点项目、教育部重大研究计划项目等20多项科研课题，发表SCI收录论文140多篇，论文被引用超过1000次，先后在国际学术会议上做邀请报告近10次，获国际学术会议“最佳论文奖”1次和全国学术会议“优秀论文奖”4次，获得/申请国家发明专利11项；多次担任国际学术会议程序委员会委员和组织委员会委员，是APL、JAP等国际学术刊物的特约审稿人。获国家自然科学二等奖（2004年）、国家技术发明三等奖（1999年）、江苏省科技进步一等奖（2003年）和教育部科技进步三等奖（2000年）。 [1]新手上路成长任务编辑入门编辑规则本人编辑我有疑问内容质疑在线客服官方贴吧意见反馈投诉建议举报不良信息未通过词条申诉投诉侵权信息封禁查询与解封©2024 Baidu 使用百度前必读 | 百科协议 | 隐私政策 | 百度百科合作平台 | 京ICP证030173号京公网安备110000020000

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传真：523ecd55d573636ea63217aa8668de6c1f7f53625e811479c4fe16d72b6d54d102b650915eef8c095885d8c89e92ee6603e66641da9717cb0990e5f989a4f7015720337620f79ba1027d12f7ab767f45be84ab0e88c09e103ff85b65200579eb4f6ff619f68721fb6f81d9e2597b6f803bc86a16af6d72a7f00443bf6399c4b9

通讯/办公地址：3067be4792b6b8ab96aa76362bd09bce81011dd4373b98040955373d86a6c3169784d66da792c24f9956e7c7c05bc9c66d5d17481e10b408d6db8407f05ae764eb789ef4f4c5a55be2214a7c0f6d666e75d8fd1ea3a87bee05f00760c7b5fcb2cd85b3fa11ebfbf56b9bf2eb322b9c99a4105f771f07f72056e6cc108cd228af

办公室电话：121a8e7839926df2cd6e2d434106ad6eff2f20999b4736819d79feb452ad5ba06e53ec393a54144711713d73130ee38e019fb4029617d6ff93375be9de71bd3f4399e2ec3cd78497f8fcfdb7e2eca097f6070286934c9367ca65b21ed34123210ba1d7307b2049033bd30755a622327dbaaac28f7ac05adc382fc329f2ed311c

邮箱：8fdd4e93ff945441c448aa9076727d2dff7a5af7679486567486b3398f5b51bb65b8b438c429d18a3af0ab045d7dd2f4802b7d552bf72418d15770918d6b209e9312370c9edebf6b697a18952860a126f6e32aabe45442112f719fb94df6cbd9353c4b08807930b57a12ab74ce42b0e6e336dfb34bce08706e57a8a024d5fb24

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沈波

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个人简历：· 1963年出生于江苏省扬州市； · 1985年毕业于南京大学物理系半导体专业，获学士学位； · 1988年毕业于中国科技大学物理系半导体专业，获硕士学位； · 1995年毕业于日本东北大学材料科学研究所 (IMR)，获博士学位；· 1998-2000年在日本东京大学产业技术研究所 (IIS) 担任研究员(博士后)；· 1988-2004年在南京大学物理系工作，2000年破格晋升教授；· 2004年迄今在北京大学物理学院工作。曾任东京大学先端科技研究中...

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教育经历【查看更多】

日本东北大学材料科学研究所 (IMR)

博士学位

研究生(博士)毕业

中国科技大学

物理系半导体专业

硕士学位

研究生(硕士)毕业

南京大学

物理系半导体专业

学士学位

大学本科毕业

工作经历【查看更多】

1998.4 - 2000.3

日本东京大学产业技术研究所 (IIS)

研究员

2000.4 - 2004.12

南京大学物理系

教授

2004.12 - 至今

北京大学物理学院

教授

基本信息

研究方向

【查看更多】

教师拼音名称：shenbo

电子邮箱：8fdd4e93ff945441c448aa9076727d2dff7a5af7679486567486b3398f5b51bb65b8b438c429d18a3af0ab045d7dd2f4802b7d552bf72418d15770918d6b209e9312370c9edebf6b697a18952860a126f6e32aabe45442112f719fb94df6cbd9353c4b08807930b57a12ab74ce42b0e6e336dfb34bce08706e57a8a024d5fb24

职务：教授

办公地点：北京大学物理学院

联系方式：010-62767809

职称：教授

主要任职：博士生导师

毕业院校：日本东北大学材料科学研究所 (IMR)

主要研究方向

联系方式

网站访问量：

沈波（东华大学教授）_百度百科

华大学教授）_百度百科网页新闻贴吧知道网盘图片视频地图文库资讯采购百科百度首页登录注册进入词条全站搜索帮助首页秒懂百科特色百科知识专题加入百科百科团队权威合作下载百科APP个人中心沈波是一个多义词，请在下列义项上选择浏览（共42个义项）添加义项收藏查看我的收藏0有用+10沈波播报讨论上传视频东华大学教授沈波，中国国籍，生于1981年1月，浙江舟山人。现任东华大学信息科学技术学院教授，博士生导师。曾在香港大学电机与电子工程系担任研究助理，英国布鲁奈尔大学访问博士生，获得洪堡基金资助担任德国杜伊斯堡埃森大学DFG项目研究员。连续入选上海高校特聘教授（东方学者）岗位计划、上海市青年拔尖人才计划、上海市曙光计划和上海市青年科技启明星计划等多项人才计划，并获全球2015高被引科学家称号。师从国际著名自动控制学科专家、英国布鲁奈尔大学教授和东华大学王子栋教授。一直从事随机滤波与控制理论及其应用方面的研究，在多指标随机控制与滤波、网络化控制与信号处理以及传感器网络与复杂系统等方面取得了多项研究结果，并担任培养学生的工作。 [1]中文名沈波国籍中国民族汉出生日期1981年1月毕业院校东华大学学位/学历博士专业方向控制理论与控制工程学术代表作Nonlinear Stochastic Systems with Incomplete Information: Filtering and Control主要成就上海市曙光学者德国洪堡学者；2015全球高被引科学家；2013全国百优博士论文提名奖职称教授发表论文数目40余篇（截至2019年7月） [2]目录1个人经历2工作经历3主要成就4社会职务5作品资料个人经历播报编辑2003年7月毕业于西北工业大学应用数学系，获理学学士学位；2011年3月毕业于东华大学信息科学与技术学院，获工学博士学位。2009年8月至2010年2月在香港大学电机与电子工程系担任研究助理；2010年3月至2011年2月在英国布鲁奈尔大学信息计算与数学学院担任访问博士生；2011年5月至2013年5月在德国杜伊斯堡-埃森大学自动控制与复杂系统研究所担任德国科学基金会（DFG）项目研究员。目前出版第一作者英文专著1部，发表论文40余篇，SCI收录30余篇，SCI他引1200余次，第一作者论文中有15篇进入ESI高被引论文行列，2篇入选2011年中国百篇最具影响国际学术论文。主持国家自然科学基金面上项目1项，主持完成国家自然科学基金青年基金项目1项，参与完成国家自然科学基金、上海市自然科学基金、德国科学基金会（DFG）等国内外项目3项，先后入选上海市青年科技启明星计划与上海市曙光计划。研究成果获国家自然科学奖二等奖（排名第四），博士论文被评为上海市优秀博士论文、并获全国优秀博士学位论文提名奖。目前是IEEE会员，亚洲控制协会会员，中国系统仿真学会智能物联系统建模与仿真专业委员会委员，中国自动化学会青年工作委员会委员，中国自动化学会控制理论专业委员会随机系统控制学组委员等，并受邀担任香港研究资助局（RGC）基金项目的评审专家及中国国家自然科学基金项目的评阅人，担任国际期刊System Science and Control Engineering编辑，Journal of The Franklin Institute副编辑，Circuits, Systems, and Signal Processing副编辑，Neurocomputing编委，Mathematical Problems in Engineering编委以及30多个国际SCI期刊的审稿人，并获2次IEEE Trans. Automatic Control杰出审稿人、1次Asian Journal of Control杰出审稿人和1次IET Control Theory & Applications前5%最活跃审稿人称号。工作经历播报编辑1、2011.05-2013.05，德国杜伊斯堡-埃森大学，自动控制与复杂系统研究所，DFG项目研究员2、2010.03-2011.02，英国布鲁奈尔大学，信息计算与数学学院，访问博士生3、2009.08-2010.02，香港大学，电机与电子工程系，研究助理主要成就播报编辑1、2015年上海市东方学者特聘教授2、2015年入选工程领域全球高引用科学家3、2015国家自然科学奖二等奖4、2014年入选上海市曙光计划（曙光学者）5、2013全国百篇优秀博士学位论文提名6、2013入选上海市科技启明星计划7、2013年获2012年度IEEE Transaction Automatic Control杰出审稿人称号8、2012年获2011年度Asian Journal of Control杰出审稿人称号9、2012年2篇第一作者论文入选2011年中国百篇最具影响国际学术论文10、2011获得德国洪堡基金社会职务播报编辑1、IEEE高级会员（IEEE CSS）2、亚洲控制协会会员3、中国系统仿真学会智能物联系统建模与仿真专业委员会委员4、中国自动化学会青年工作委员会委员 [2]5、香港研究资助局（RGC）基金项目评审专家6、中国国家自然科学基金项目评阅人除此之外还担任多个国际国内知名期刊杂志编委副主编等职务。作品资料播报编辑学术专著:1、B. Shen, Z. Wang and H. Shu, Nonlinear Stochastic Systems with Incomplete Information: Filtering and Control, Springer-Verlag, London, 2013，250 pages.综述论文:1、B. Shen, A survey on the applications of the Krein-space theory in signal estimation, Systems Science & Control Engineering: An Open Access Journal, 2(1): 143-149, Jan. 2014.2、B. Shen, Z. Wang, J. Liang and Y. Liu, Recent advances on filtering and control for nonlinear stochastic complex systems with incomplete information: A survey, Mathematical Problems in Engineering, 2012, Article ID 530759, 2012, 16 pages.主要国际期刊论文:1、B. Shen, Z. Wang, H. Shu and G. Wei, On nonlinear H_infinity filtering for discrete-time stochastic systems with missing measurements, IEEE Transactions on Automatic Control, 53(9): 2170-2180, Oct. 2008.2、B. Shen, Z. Wang and X. Liu, Sampled-data synchronization control of complex dynamical networks with stochastic sampling, IEEE Transactions on Automatic Control, 57(10): 2644-2650, Oct. 2012.3、Z. Wang, B. Shen, H. Shu and G. Wei, Quantized H_infinity control for nonlinear stochastic time-delay systems with missing measurements, IEEE Transactions on Automatic Control, 57(6): 1431-1444, Jun. 2012.4、 B. Shen, Z. Wang, H. Shu and G. Wei, Robust H_infinity finite-horizon filtering with randomly occurred nonlinearities and quantization effects, Automatica, 46(11): 1743-1751, Nov. 2010.5、B. Shen, Z. Wang, H. Shu and G. Wei, H_infinity filtering for nonlinear discrete-time stochastic systems with randomly varying sensor delays, Automatica, 45(4): 1032-1037, Apr. 2009.6、B. Shen, Z. Wang and Y. S. Hung, Distributed H_infinity-consensus filtering in sensor networks with multiple missing measurements: The finite-horizon case, Automatica, 46(10): 1682-1688, Oct. 2010.7、B. Shen, S. X. Ding and Z. Wang, Finite-horizon H_infinity fault estimation for linear discrete time-varying systems with delayed measurements, Automatica, 49(1): 293-296, Jan. 2013.8、Z. Wang, B. Shen and X. Liu, H_infinity filtering with randomly occurring sensor saturations and missing measurements, Automatica, 48(3): 556-562, Mar. 2012.9、B. Shen, Z. Wang and X. Liu, A stochastic sampled-data approach to distributed H_infinity filtering in sensor networks, IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, 58(9): 2237-2246, Sep. 2011.10、B. Shen, S. X. Ding and Z. Wang, Finite-horizon H_infinity fault estimation for uncertain linear discrete time-varying systems with known inputs, IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, 60(12): 902-906, Dec. 2013.11、B. Shen, Z. Wang and X. Liu, Bounded H_infinity synchronization and state estimation for discrete time-varying stochastic complex networks over a finite horizon, IEEE Transactions on Neural Networks, 22(1): 145-157, Jan. 2011.12、B. Shen, Z. Wang, D. Ding and H. Shu, H_infinity state estimation for complex networks with uncertain inner coupling and incomplete measurements, IEEE Transactions on Neural Networks and Learning Systems, 24(12): 2027-2037, Dec. 2013.13、B. Shen, Z. Wang, Y. S. Hung and G. Chesi, Distributed H_infinity filtering for polynomial nonlinear stochastic systems in sensor networks, IEEE Transactions on Industrial Electronics, 58(5): 1971-1979, May. 2011.14、B. Shen, Z. Wang, H. Shu and G. Wei, H_infinity filtering for uncertain time-varying systems with multiple randomly occurred nonlinearities and successive packet dropouts, International Journal of Robust and Nonlinear Control, 21(14): 1693-1709, Sep. 2011.15、B. Shen, Z. Wang, J. Liang and X. Liu, Sampled-data H_infinity filtering for stochastic genetic regulatory networks, International Journal of Robust and Nonlinear Control, 21(15): 1759-1777, Oct. 2011.新手上路成长任务编辑入门编辑规则本人编辑我有疑问内容质疑在线客服官方贴吧意见反馈投诉建议举报不良信息未通过词条申诉投诉侵权信息封禁查询与解封©2024 Baidu 使用百度前必读 | 百科协议 | 隐私政策 | 百度百科合作平台 | 京ICP证030173号京公网安备110000020000

沈波（中国商用飞机有限公司党委常委、副总经理）_百度百科

国商用飞机有限公司党委常委、副总经理）_百度百科网页新闻贴吧知道网盘图片视频地图文库资讯采购百科百度首页登录注册进入词条全站搜索帮助首页秒懂百科特色百科知识专题加入百科百科团队权威合作下载百科APP个人中心沈波是一个多义词，请在下列义项上选择浏览（共42个义项）添加义项收藏查看我的收藏0有用+10沈波播报上传视频中国商用飞机有限公司党委常委、副总经理沈波，男，汉族，浙江平湖人，1968年2月生，中共党员，大学，工程硕士。1980年毕业于平师附小，1986年毕业于平湖中学，之后在南京航空航天大学学习。 [3]现任中国商用飞机有限责任公司党委常委、副总经理，上海飞机设计研究院院长、党委副书记。 [1-2] [5]中文名沈波国籍中国籍贯浙江平湖 [3]出生日期1968年2月 [2]目录1人物履历2职务任免3所获荣誉人物履历播报编辑长期从事航天工程专业，曾任中国运载火箭技术研究院第十八研究所副所长、型号行政指挥，中国商飞设计研发中心副主任、上海飞机设计研究院副院长、C919项目系统集成试验现场指挥部常务副指挥 [3]，上海飞机设计研究院院长、党委副书记、中国商飞公司设计研发中心主任 [4]等职。2023年4月，任中国商用飞机有限责任公司党委常委、副总经理，上海飞机设计研究院院长、党委副书记。 [2]中国共产党中国商用飞机有限责任公司第一届纪律检查委员会常务委员会委员（2018年7月） [1]职务任免播报编辑2023年4月25日，中国商飞公司官网消息，中国商飞公司召开党委常委会第151次会议，通报中央组织部关于公司领导任职的决定：沈波同志任中国商用飞机有限责任公司党委常委、副总经理。相关职务任免按有关法律规定办理。 [2]所获荣誉播报编辑曾获得中国航天科技集团"航天奖"、中国运载火箭技术研究院"长征奖"等荣誉称号。 [3]2023年4月27日，被授予“全国五一劳动奖章”。 [6]新手上路成长任务编辑入门编辑规则本人编辑我有疑问内容质疑在线客服官方贴吧意见反馈投诉建议举报不良信息未通过词条申诉投诉侵权信息封禁查询与解封©2024 Baidu 使用百度前必读 | 百科协议 | 隐私政策 | 百度百科合作平台 | 京ICP证030173号京公网安备110000020000

沈波：深耕半导体三十年

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沈波：深耕半导体三十年

2019/04/23

信息来源：北京大学校报

文字：校报记者罗敏霞|

编辑：麦洛 | 责编：山石

编者按：氮化物宽禁带半导体是实现短波长发光器件和高频大功率电子器件的核心半导体体系，在半导体照明、新一代移动通讯、国防军工等领域有重大应用，是全球高技术竞争和战略性新兴产业发展的关键领域。氮化物半导体外延制备是器件和系统的基础和核心技术。北京大学物理学院沈波教授团队发明了有效提升外延质量的图形化蓝宝石衬底新技术和外延生长新方法，制备出部分质量指标国际领先的氮化物半导体外延材料，建立了较为完善的氮化物半导体大失配异质外延技术体系，并实现了产业化应用。我国能否抢占第三代半导体技术的战略制高点，打破美国在宽禁带半导体核心技术上对中国的限制，让我们听听沈波教授怎么说——

2019年1月8日，2018年度国家科学技术奖在京揭晓，北京大学物理学院沈波教授团队的成果“氮化物半导体大失配异质外延技术”获得国家技术发明奖二等奖。沈波接受北京大学校报记者的采访，讲述了他与半导体结缘30多年的故事。康凯、沈波、童玉珍和王新强（从左至右）在国家奖颁奖现场“氮化物半导体，是一种宽禁带半导体，它是一种人工（合成）材料，在自然界是没有的。它的主要制备方法是外延生长在蓝宝石、硅等别的衬底材料上，晶格失配和热失配非常大。所以怎样克服大失配，得到高质量的氮化物半导体材料，是我们研究的核心问题。”沈波开门见山对他的研究进行了介绍。“解决这个问题要从两个方面着手：第一是衬底，一般称之为衬底工程，虽然都是蓝宝石衬底，但是可以通过在衬底表面做各种各样的新型微纳结构，促进高质量氮化物半导体的制备；第二是外延生长，要不断发展提升氮化物半导体外延质量和光电性质的新方法。我们团队在这两方面有一些创新，比较好地解决了衬底和氮化镓失配的问题，制备的材料有部分指标在国际领先。”沈波认为这次获奖是集体的荣誉，并借此机会感谢学校各级领导、兄弟学院同仁，以及物理学院、人工微结构和介观物理国家重点实验室对北大宽禁带半导体研究中心和研究团队的长期支持，还要感谢宽禁带半导体研究中心的全体成员，特别是中心创建者甘子钊院士、张国义教授对他工作的长期支持。“这才是见硬功夫的地方”沈波团队研究的氮化物半导体有两个非常重要的特征，“第一是宽禁带，如果做光电器件，宽禁带就表示发光的波长更短，能量更高，比如蓝光和紫外发光二极管（LED）；第二个特征是它有非常强的极化效应，做出来的电子器件功率密度很大，如果用来做雷达的收发模块，功率密度大，探测距离就远。美国在韩国部署的萨德反导系统就使用了氮化镓模块，可以探测上千公里，中国许多地区也在其探测范围之内，所以引起了‘萨德危机’”。2018 年美国制裁中兴公司，中兴如此被动的原因就在于缺乏强大的半导体芯片技术，主要是硅集成电路芯片，也包括氮化物半导体的一些芯片。第五代移动通信网络（5G）的微波基站，其微波功放模块是用氮化镓做的。宽禁带半导体在军工和民用领域都有很多应用，是各国高技术竞争的主要领域之一。在宽禁带半导体核心技术上，中国一直面临美国的限制，最近的限制更多了。“现在部分宽禁带半导体材料、器件和制备装备美国已开始对我国禁运，为了一些实验需要，想买点氮化铝（AlN）材料回来做对比，都买不到。另外我们许多仪器设备都是进口的，一些关键零部件的进口也受到限制。”沈波认为，限制背后也是机遇，“原来大家都愿意买进口的设备，因为担心国产的质量。国产设备现在不如进口设备好，但是你不买它、不用它，它永远都不会好。如今国外的买不着了，就只能买国产的，国产设备市场变好，技术水平也不断提升，再过五年，我们的国产设备就能发展起来”。除此之外，美国对中国半导体技术的限制，也让中国意识到半导体技术的战略地位。沈波介绍：“在过去很长一段时间内，大家都比较关心系统应用方面，比如互联网、高铁、大飞机，不太关注高铁、飞机的关键零部件都是进口的，其中就包括半导体芯片。中兴事件让我国政府和老百姓意识到，在最核心的技术上，我们离西方还有相当的距离。现在大家不是问国家要不要做这件事情，更多的是讨论怎么做，这对我们是有利的。现在国家上上下下都意识到，半导体就像上世纪50 年代的钢铁一样，是一个国家发展最核心的东西之一。这才是见硬功夫的地方。”校企合作共赢在这次获奖项目的完成人当中，除了北大的老师，还有东莞两家公司的代表，分别是东莞中镓半导体科技有限公司（成立于2009 年）、东莞中图半导体科技有限公司（成立于2013 年）。这一次获奖的技术，也已经在两家公司投入生产。“这两家公司都跟北大很有渊源。2009年，在甘子钊、张国义组织领导下，北大宽禁带半导体研究中心的研究成果与东莞企业家的投资相结合，创立了中镓半导体科技有限公司，把北大氮化物半导体的研究成果在广东做产业化转移。2013 年，中镓公司又把发展得很好的蓝宝石图形化衬底业务单独拿出来，成立了中图半导体科技有限公司。这两家公司的技术支撑都来源于北大，一直以来跟我们有非常紧密的合作。”对于大学和企业之间的合作，最重要的是双方的核心诉求要契合。对企业来说，最关注的就是大学的研究成果对企业产品研发和生产的帮助。对大学来说，研发是核心使命，通过研发成果的产业化推广既可彰显成果的价值，也可获得更多的研发资源。从实验室的研究成果到企业有竞争力的产品，需要经过长时间的中试，不仅需要大学的研发能力，还需要企业在人力物力上的大量投入，因此需要大学和企业长时间的紧密合作来共同完成。美国等发达国家为了抢占宽禁带半导体技术的战略制高点，通过国家级创新中心等形式，把企业、高校、研究机构及相关政府部门等有机地联合在一起。在这方面，中国也行动起来了。2015 年，宽禁带半导体相关的科研机构、大专院校、龙头企业发起筹建我国“第三代半导体产业技术创新战略联盟”，其中北大是副理事长单位。沈波指出，这个产业联盟的作用不可小觑。“联盟有三方面作用，一是促进行业内企业的协调发展。二是促进产业界和学术界的合作。通过这个平台，我们可以了解到产业界的需求是什么，也让产业界知道大学、研究机构都在做哪些事情，哪些技术在生产中可以用上。三是协调政府和研究机构、企业的交流，可以把学术界和企业的声音，反映给政府相关部门，如科技部、工信部等，政府在制定宽禁带半导体行业的五年规划时，会参考联盟成员的意见。”一剑磨十年沈波的人生道路和中国半导体的发展紧密结合在一起。他1985 年从南京大学物理系半导体物理专业毕业后，在中国科学技术大学攻读半导体物理专业研究生，再到日本留学，获得半导体材料专业博士学位后回国任教，一直没离开过半导体。谈及与半导体的缘分，沈波戏称自己和半导体之间是“先结婚后恋爱”，一开始被动地进入这个专业，后来才逐渐喜欢，“一辈子就做这件事情”。沈波回忆道：“我上大学之前，不知道大学里物理系是干什么的。因为我的高中班主任是物理老师，他觉得我物理学得不错，我就报了南京大学物理系，大学分专业时我的志愿是南大物理系最强的晶体专业，但把我分到了半导体专业，我就被动地进入了这个领域。”对于沈波来说，氮化物宽禁带半导体的研究，“一方面在科学上有足够的空间进行探索，有大量的物理问题需要通过研究去解答。另一方面，半导体作为一个事关国计民生的核心技术对国家非常重要，它在民用技术和军用国防上都有很高的应用价值”。沈波于1995 年在日本东北大学材料科学研究所获得博士学位。谈及当初为什么选择回国，沈波说，这是一个顺理成章的选择。“当年我是南京大学公派出国的访问学者，在此期间，我获得了攻读博士的机会，南大也同意了。等我博士毕业，就没有任何理由再待在国外，于是我就回来了。如今24 年过去了，事实证明回国是对的。当时跟我一起出国的，也有不少人没回来，这么多年下来，个人发展不一定比国内好。虽然刚回国那几年科研条件比较艰苦，但是国家对归国青年人才非常重视，让你挑大梁，很锻炼人。最近十多年来，科研人员的待遇、科研条件都得到了大幅度改善，我对自己的生活条件和工作条件都非常满意。”中国的宽禁带半导体研究起步较晚，前期可投入的资源较少，而半导体研究仪器设备动辄上百万美元，“上世纪90 年代我刚回国的时候，我们的实验条件跟国外比起来差距确实很大。可是最近十年，中国在科研经费上的投入大幅增加，我的日本朋友经常会来北大访问，他们觉得我们现在实验室的仪器设备条件，跟日本的大学已经没太大差别，加上中国对人才的高度重视，我们确实缩小了和美国、日本等发达国家的差距。在少数技术点上，我们已经处在国际前列”。2018 年，我国整个半导体照明的产业规模约7500 亿元，是世界上规模最大的半导体照明产业，也是我们国家最近十多年来高新技术发展的典型案例之一。说到研发过程中的困难，沈波笑着说：“各种各样的困难总是存在的，所以我们的年轻教师和研究生都很辛苦，每天都要工作很长时间，寒暑假大部分时间也都在工作。大家的目标就是克服困难，把氮化物半导体这件事情做好，赶超世界科技强国，满足国家对氮化物半导体的需求。任何事情你只要坚持往前做，总能把它做好。”沈波（前排右）和研究生在未名湖畔沈波提道，在大学里做研究，特别是应用基础和高技术研究，还是存在一些不适应的状况。“因为我们大学这么多年擅长做基础研究，在管理上和观念上对发展应用基础和高技术研究有些不适应。比如半导体实验室研究的东西以纳米或者微米为尺度，必须在一个恒温恒湿的超净室里做，实验室内的仪器要保持非常洁净的状态，所以它是不能断电的。美国、日本从事这样研究的实验大楼都是双电路安排，从来不会断电。而我们物理大楼在寒暑假期间，经常会停电检修，平时也偶尔会断电。为了一次停电，我们要做许多准备工作，要耽搁好几天时间，仪器状态和洁净条件都会受到影响。其实北京大学不仅是一个培养人才和做基础研究的著名学府，它还是我国非常重要的应用基础和高技术研究基地，学校在管理上和观念上要适应这种变化，一些制度上的安排要跟上。北大的核心竞争力是由一个个从事基础研究、应用基础研究和高技术研究的课题组构成的，每个学院都有若干个这样的课题组，这一个个课题组加起来构成了北大赶超世界科学前沿、满足国家重大需求的核心竞争力。”这次获奖，用沈波自己的话来讲，是“一剑磨十年”，是厚积薄发的过程。从2004 年到北大，他一直在做氮化物半导体研究，至今已经过了15 年，这个奖也被他视作这15 年工作总结的一部分。“我这辈子从上大学开始就学半导体，1995 年起做氮化镓，看来一辈子就做半导体这件事情了。但真的沉浸到里面，你会发现其中的事情是做不完的，永远有好多事情等着你去做。”沈波说。

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沈波-北京大学 – Society for Energy Photonics

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沈波-北京大学

沈波，北京大学物理学院长江特聘教授，理学部副主任，宽禁带半导体研究中心主任，国家杰出青年基金获得者，基金委创新研究群体带头人，国家973计划项目首席科学家，国家863计划“半导体照明”重点专项总体专家组成员，国家863计划“第三代半导体”重点专项总体专家组组长，国家“战略性先进电子材料”重点专项总体专家组成员，享受国务院政府津贴，是国内多个国家重点实验室、科学院重点实验室和国防重点实验室学术委员会委员。

研究方向

（一）宽禁带半导体量子结构材料与器件。

（二）宽禁带半导体低维物理。

主要研究内容包括 [2] ：

III族氮化物半导体异质结构和量子阱的外延生长和缺陷控制，

III族氮化物半导体功率电子器件与器件物理，

III族氮化物半导体深紫外发光材料和器件，

新型半导体低维结构的量子输运和自旋性质

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北大沈波教授专访：向国外学习科学研究并不过时

2019-02-03

中国教育和科研计算机网

张伟静袁玉凝

　　背景介绍：沈波，北京大学物理学院教授。在2018年度国家科学技术奖励大会上，北京大学沈波教授团队"氮化物半导体大失配异质外延技术"获国家技术发明二等奖。沈波教授团队发明了有效提升外延质量的图形化蓝宝石衬底新技术和外延生长新方法，制备出部分质量指标国际领先的氮化物半导体外延材料，建立了较为完善的氮化物半导体大失配异质外延技术体系，并实现了产业化应用。

北京大学沈波教授团队“氮化物半导体大失配异质外延技术”获国家技术发明二等奖

　　中国教育和科研计算机网：首先祝贺您的“氮化物半导体大失配异质外延技术”获得国家技术发明二等奖，您能简单通俗的介绍一下这个项目吗？

　　沈波：非常感谢你们的支持。该项目是属于电子与通信技术学科的半导体材料和器件技术方向。氮化物半导体制备的主流方法是蓝宝石等衬底上的异质外延，外延材料中高缺陷密度成为氮化物半导体技术发展的关键瓶颈。

　　我们在大失配异质外延，包括衬底的图形化技术等方面取得了一些研究突破，发明了有效提升外延质量的图形化蓝宝石衬底新技术和外延生长新方法，制备出质量指标国际领先的氮化物半导体外延材料。同时，我们把大学的研究成果跟产业应用结合起来，这也是我们团队从老一代科学家开始一直坚持的做法，获得了国家的肯定。

　　中国教育和科研计算机网：大失配异质外延是个专业术语，行业之外的人可能不太理解，您能给大家解释一下这个名词吗？

　　沈波：氮化物半导体（简称氮化镓）是人工合成的新型半导体材料，用标准的单晶生长方法不可能制备这种材料。第一代半导体硅外延有硅单晶衬底，硅片的直径已发展到8英寸、12英寸，甚至18英寸，第二代半导体砷化镓也有单晶衬底材料。

　　由于氮化物半导体没有传统意义上的单晶衬底，只能用一些比较特殊的方法制备衬底材料，价格非常昂贵，产能也很有限，因此绝大部分氮化物半导体及其量子结构必须制备在异质衬底上，比如蓝宝石衬底、硅衬底、碳化硅衬底等等。

　　蓝宝石和氮化物半导体之间的异质外延是目前最重要的大失配异质外延。不同物质的原子构成不同，因此它们的晶体结构各不相同，蓝宝石和氮化镓这两种晶体之间的周期和对称性存在巨大的差别，随温度膨胀收缩的规律也很不一样，我们称之为大失配。在这种情况下，把氮化物半导体制备在蓝宝石衬底上就难度很大，若制备不好，材料就会有非常高的缺陷密度。只有采用各种各样的前沿技术和新方法才能制备出高质量的氮化物半导体及其量子结构，在此基础上才能制备出高性能的器件和芯片。

　　中国教育和科研计算机网：我们从获奖项目中看到，您的团队发明了有效提升外延质量的图形化蓝宝石衬底新技术和外延生长新方法，主要有哪些新技术和新方法？这些新技术能够发挥什么样的作用？

　　沈波：我们大失配异质外延的创新包括两个方面。第一是蓝宝石图形衬底技术的创新。最早的图形衬底是由韩国科学家发明的，我们的图形衬底技术实现了两个方面的创新：一是有一些新结构，二是有独有的制作技术，品质好而成本低，因此我们合作企业的产品在国际国内很有竞争力。

　　第二个创新就是我们发展了各种具有自主知识产权的氮化物半导体外延制备方法，制备的氮化物半导体部分晶体质量指标世界领先。

　　中国教育和科研计算机网：这一研究成果最大意义在哪些地方呢？该项目成果已大规模产业应用，市场效益如何？

　　沈波：氮化物半导体是第三代半导体的典型代表，被广泛应用于半导体照明、无线移动通信、电动汽车以及国防军工等领域，是国家的重要战略领域，也是国际高技术竞争的主要领域之一。现在美国对中国的很多技术和产品限制、禁运都涉及到第三代半导体。

　　要想把第三代半导体的应用系统做好，就需要把器件和模块做好，而要把器件和模块做好，首先要把大失配异质外延做好。就像盖房子，大失配异质外延就是基础和地基，就是关键的核心技术。

　　从我们团队的老一代科学家开始，由于技术研发做得不错，10年前就以技术入股的形式在广东参与了第三代半导体领域高技术企业的创办。经过多年努力，现在已经取得不错的成果和效益，2017年企业销售收入超过了10亿人民币。

　　中国教育和科研计算机网：刚刚您提到第三代半导体材料是一种“战略物资”和国际竞争焦点，我们的技术与国外相比，例如美国、德国、日本，最大的优势是什么？不足又是什么？

　　沈波：整个半导体技术以及半导体产业都是先在西方发展起来的。第一个晶体管是美国人发明的，美国在第一代半导体、第二代半导体领域一直占据着很大优势，后来日本异军突起，再后来韩国、中国台湾的半导体芯片产业也做得不错。与之相比，中国大陆一直比较落后。1958年在国家组织下，黄昆和谢希德先生等在北京大学创立了国内五校联合的半导体班，这是中国大陆培养的第一批半导体专业人才；从那时起，中国大陆的半导体技术和产业才慢慢起步。

　　中国的半导体技术和产业在相当长的时间里和西方保持着比较大的差距，其原因一是起步比较晚，技术研究和产业发展的历史比较短，缺乏沉淀；二是因为半导体材料、器件和芯片是高资金、高技术密集的行业，在过去很长的时间里，因为国力财力的限制，国家不可能投入太多，民间资本投入也谈不上。

　　但现在不一样了，随着国家这几十年的快速发展，国内已经有相当充足的经济实力投入半导体技术研究和产业发展上。实际上从十多年前开始，我们国家半导体材料、器件和芯片的技术研究和产业投入就进入了高速发展阶段，我所在的北大实验室无论从硬件条件还是研究水平上这10多年都取得了非常大的进步。

　　从整体上讲，国内在第三代半导体，特别是氮化物半导体领域与国际领先水平的差距这10多年已经明显缩小。我认为再过8-10年，这个差距就很可能被追上。事实上，国内第三代半导体的某些技术研究已经有自己的特色，并不落后，甚至在个别点上已领先于人。

　　中国教育和科研计算机网：科研创新突破往往遇到很多困难，您在技术研究过程中遇到过哪些困难？是如何克服的？

　　沈波：不同的时期，困难也有所不同。不管怎样，研究贵在持之以恒，不能追着热点跑。我从1995年在日本博士毕业后就开始做氮化镓研究，转眼就做了二十多年，所以只有坚持才能克服困难。

　　1995年我从国外回来的时候，面临的最大困难就是国内条件比较差，无论是科研经费还是硬件设备都跟国外有非常大的差距。我记得我刚回国，国家给我的经费也就几十万人民币，但是一台制备氮化物的设备需要一百万美元，最后只能自己搭建设备。但是自己搭建的设备在性能上跟国外设备差距很大，所以除了自力更生，课题组还采用国际合作的形式，经常借助国外的设备条件做研究，以此来克服在科研硬件条件上的不足。

　　这几年情况完全不一样了，实验室设备条件已经跟国外差不多了，这时我们面对的困难也不一样了，国家和大学对我们的要求也不一样了。现在国内很多单位开始投身到这个研究领域，人才竞争非常激烈，怎么把一些很优秀的年轻人吸引到我们团队来，并能够稳定的发挥作用，对我来说是新的挑战。一方面，我们怎么用事业用感情来留人、吸引人还需探索，另一方面，目前的人才评价体系在实践操作层面还是有一些问题的。

　　整体上来讲，大学的评价体系更注重基础研究，虽然现在也鼓励高技术研发和成果的转移转化，但在实际操作过程中还有很多不尽如人意的地方。怎样在自己能够掌控的小环境里，处理好基础研究和高技术成果产业化的关系问题，保障年轻学者的正常学术发展，我一直在思考如何做得更好，希望国家和大学更加注意这个问题的解决。

北京大学物理学院教授沈波

　　中国教育和科研计算机网：在 2018年度国家科学技术奖评选出的278个项目中，有多个项目涉及第三代半导体领域。您对第三代半导体领域的研究前景有怎样的看法？

　　沈波：我不知道今年获奖项目里有多少是第三代半导体，但毫无疑问第三代半导体是非常非常重要的，是国家的战略需求。中兴事件以后，国家从最高领导人到一般老百姓都知道了半导体技术和半导体芯片的重要性。客观上讲，过去国家更注重集成创新和应用模式创新，比如说高铁、移动支付等，但其实里面的核心部件和元器件还是进口的。中兴事件一下子让国家和产业界意识到，创新的核心是关键材料、关键元器件的创新，我觉得这是非常好的事情。

　　国家当然应该鼓励集成创新、应用模式创新，但这些领域应该主要交给市场去做。现在全国上下已经充分意识到，半导体芯片是国家竞争力的最终体现，半导体芯片是高资本、高技术密集的产业。前几年我跟各级领导做各种交流时，还需要跟他们强调半导体芯片的重要性，现在已经不用讲了，现在讨论的主题是该怎么做。

　　另外，我想强调的是：第一代、第二代、第三代半导体不是取代与被取代的关系，它是从发展时间上划分的。第一代半导体硅材料和器件，特别是集成电路，发展比较早，现在依然是最重要的半导体技术和最主要的半导体芯片产业。后来由于第一代半导体材料在发光和射频性能上的局限性，第二代半导体发展起来了。再后来，由于短波长光电器件和高功率器件的需求，又发展到第三代半导体。这三代半导体的发展是相互促进和相互融合的关系，不是竞争和取代的关系。

　　整体上和第一代、第二代半导体一样，第三代半导体的发展态势是非常好的，我相信再有8-10年，我们国家的第三代半导体，无论是材料、器件，还是芯片、应用都会有更大的飞跃。从国家、社会投入规模、研发人员规模增长趋势来看，我们在总体上赶上乃至超过世界先进水平应该是不太遥远的事情。

　　现在面临的最主要问题可能还是产业，研发做得好并不意味着产业做得好。现在第三代半导体产业发展最大的问题是什么呢？就是缺乏龙头企业。这几年我国很多中小企业发展起来了，它们过去以引进外国技术为主，自身研发能力，特别是中试能力有限。而国内大学及研究机构在与企业合作，在研究成果的产业化落地上还有一些环节不是很顺畅，特别是中试的问题，未能很好解决。国外的跨国企业本身就能从基础研究一直做到产业应用。在美国，靠高通、苹果等龙头企业的力量，就可打通整个创新链条，把研发和产业落地结合得很好，企业资源整合能力很强，中国缺少这种类型的龙头企业。

　　此外，我还担心的是，大家一窝蜂的做这个事情可能不见得好。现在很多南方的企业大力投入第三代半导体产业，如果企业产能真像说的那样，三年之后百分之百地达到产能标准，可能会产能过剩，毕竟对第三代半导体的需求不是无止境的。当然了，企业是否能达到规划产能还是个问号，因为国内还没有那么多、那么强的技术力量来支撑这件事情，很多装备技术还卡在外国人手上。

　　中国教育和科研计算机网：这项科研成果由北京大学牵头，以技术入股方式与东莞两家公司合作，您认为这个校企合作的必要性和意义在哪里？

　　沈波：这个是非常重要的。从国家的角度来看，大学的研究成果总是要走向应用，校企合作就提供了这样一个平台和机会。但是，如上面所述，校企合作还存在很多问题，比如说大学目前的评估体系以发表文章、申请国家项目为主，虽然国家倡导科技成果产业化，但在实际操作过程中并不十分看重这个指标。我希望国家和大学能够逐步形成全面的评价体系，既鼓励基础研究，也鼓励高技术研究和应用推广，科技成果转移转化也应该是科研评价体系中的重要内容。

　　校企合作做得好反过来对基础研究也是有帮助的，我们团队有不少先进设备是企业提供的，也改善了部分老师的待遇。校企合作可以减少年轻老师们的经济压力，他们做基础研究的积极性和效率也提高了很多。

　　中国教育和科研计算机网：您是如何开始这项研究的？

　　沈波：我在国外攻读博士时学的是属于第一代半导体的硅材料研究。1995年回国以后在我的老师郑有炓院士的指点下开始做第三代半导体研究，一干就是20多年。后来我又去东京大学做了两年博士后，2000年再次回国后，国家和大学的科研条件开始变好了，投入力度越来越大，工作就很顺利的开展起来了。2004年来北大后，受到了我们团队的创始人甘子钊院士和张国义教授的大力支持。对我来说，做第三代半导体研究既是机遇，也是水到渠成的事情。

　　中国教育和科研计算机网：您的科研成果赢得了国际同行的高度评价，包括诺贝尔奖获得者在内的多位该领域国际知名学者给予了引用或评价。对于这些赞誉，您有何感想？

　　沈波：我觉得只要做得好，国际同行给予关注是很正常的。我是是在国外留学学习的现代科研知识和科研方法，因此整个项目的研究从一开始就放在了国际化平台上，国际交流频繁。此外，我们还经常邀请国际同行学者，包括诺贝尔奖获得者到北大访问交流。所以我们的成果也相对容易受到国际同行的关注，这是我们团队的基因决定的，核心老师都是从国外留学回来的，与国际同行保持着密切联系。

　　但是我们也很清楚这些评价针对的是我们过去的研究，不代表未来，我们认为这仅是好的开始或者好的基础，以后还得继续努力。我们的一些特色研究成果被国外的一流的学者承认，但是总体上我们团队的研发水平跟国外的顶尖课题组相比还有差距，我们还是要保持学生的心态。

　　现在中国虽然是世界第二大经济体了，但是在科学技术上，我们依然要向西方学习，如果离开了国际化的交流，关起门来做研究，只会越做越落后。虽然现在国际学术交流，特别是我们这个领域，遇到了一些困难，我想这个是正常的，因为中国发展壮大了，其他国家多少会有警觉和戒备，还不适应中国的崛起。但即使这样，我认为依然要像总书记说的那样，要坚持和深化改革开放，科技教育界更要如此。我的学生毕业后，我还是会鼓励他们去国外做博士后，培养国际视野，我觉得国际视野在科研工作中是非常重要的，关起门来不可能做好科研。

北京大学物理学院教授沈波

　　中国教育和科研计算机网：您刚刚提到国际合作给您的研究带来了很大的技术和设备帮助，除此以外，国外的学习和科研合作还给您带来了哪些收获？

　　沈波：改革开放以后相当长的一段时间里，我们国家不管是基础研究、应用研究还是高技术的发展，都从国外学到了很多东西。到现在为止，我觉得向国外学习也并不过时。虽然现在西方对我们有戒备心理，我们自己也掌握了很多高技术，但我认为不能因为我们发展了，就以为国外不行了，不是那么先进了。至少在科学和高技术上，我们跟国外还有相当的距离，还是需要抱着学习的态度。

　　我作为国家改革开放后比较幸运的一代人，有机会走出国门。我自己感觉，国内的大学本科教育为我们打造了非常好的数理化功底，这是中国教育的特长。90年代初出国后，我们才开始接触现代科技研究和现代化的仪器设备，从国外学到了很多科研知识和能力，同时我也耳濡目染地从我的博士和博士后指导教授那里学会怎样培养研究生、如何组织科研，怎样跟国际接轨。实际上，我团队的很多科研管理模式、培养学生方式还延续着海外留学时学到的经验，当然，也根据实际情况做了一些调整。总之，我的留学和国际交流经历让我不仅学到了科学知识、科研能力，还学会了现代科研的组织模式。

　　中国教育和科研计算机网：很多青年科学家在科研工作中有物质生活上的压力或者科学研究的迷茫，对此，您有什么建议或者忠告给到现在的青年科学家？

　　沈波：忠告就是要甘于坐冷板凳。我1995年开始做第三代半导体研究，也一直是默默无闻，从讲师到副教授再到教授一步步走过来。虽然社会上很多人抱怨体制问题，但我认为不管是整个中国的体制，还是大学、研究所的体制，都不会埋没人才。我们国家很多的优秀企业家、政治家、科学家也不是靠裙带关系成长起来的。所以青年学者要甘于坐冷板凳，在一个认准的领域持之以恒，不要去赶时髦，经常换热点。我相信中国的高等教育评价体制、科研体制会不断地改进和完善，以适应国家现代化的需要。

　　现在由于种种原因，北京等大城市的年轻教师经济压力比较大，但是政府和学校也在帮助解决这些问题，这有一个过程。我当年作为青年教师，在学校筒子楼里住了很多年。国外也是一样，没几个年轻学者在大城市买得起房子，我觉得这不是不可克服的困难。年轻学者只要真正做出成就，就一定会有回报，关键是要做出别人做不到的成果，这是关键。

　　中国教育和科研计算机网：您还有没有什么要补充的或者特别想谈的？

　　沈波：我补充点个人的感受。我们这代人很幸运，2018年是改革开放40年，我们这代人恰恰是国家改革开放40年的参与者和见证者。

　　我是江苏扬州人，1978年江苏省第一次恢复重点高中统考，我考进扬州最有名、最好的扬州中学。我当时一点没有意识到，回头再看，才发现这是跟最早的改革开放步骤结合在一起的。后来我进了南京大学物理系学习，南大物理系是当时全国最强的物理学科之一，那时还有个刚摘了帽的"右派"老师给我们上《数学物理方法》课。我当时只是好奇，现在回过头来看，那确实也是跟当年平反冤假错案、拨乱反正联系在一起的。一批杰出的教授解放了，重返了教书育人岗位，我们受到这些大师的熏陶和教诲。后来我到中国科技大学读研究生，工作后又赶上国家对外开放要大批派遣留学生，这样我就跟着这个大潮出国留学。现在回过头来看，虽然有个人努力的成分，但确实跟国家改革开放的大势是紧密结合在一起的。从这个意义上讲，个人命运和国家命运是分不开的。

　　我那时读大学也好，读研究生也好，国家还给我们生活补贴，也不需要家里负担生活费，这是时代特色，所以我们这代人的家国情怀重一点。我们这一代人的成长跟国家的改革开放路径非常吻合，应该是国家的改革开放培养造就了我们这一代人。从我个人角度来讲，虽然现在做出了一点小小的成就，但首先应归功于国家大的发展趋势和很好的改革开放政策。

　　现在我们国家发展到了一个新的阶段，面对一些新的困难和问题，跟西方的关系也发生了一些变化。但我认为依然需要坚持和深化改革开放，在进一步的改革开放中解决面临的新问题，只有这样我们国家才能得到进一步发展，真正迈进发达国家行列。

　　谢谢！

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GaN基宽禁带半导体材料、物理与器件

主要研究方向

主要研究方向：

1. GaN基异质结构的MOCVD外延生长和缺陷控制

2. GaN基异质结构中二维电子气的输运和自旋性质

3. GaN基功率和射频电子器件与器件物理

4. AlGaN基深紫外发光材料和器件

主要学术成就

1995年迄今一直从事III族氮化物 (又称GaN基) 宽禁带半导体材料、物理和器件研究，在GaN基异质结构的大失配外延生长，强极化、高能带阶跃氮化物半导体载流子输运性质，GaN基射频电子器件研制等方面取得了一系列研究成果，在国内外同行中产生了一定影响。近年来带领其课题组在大尺寸Si衬底上GaN及其异质结构的MOCVD外延生长，GaN基功率电子器件研制，AlGaN基深紫外发光材料与器件，GaN基半导体缺陷物理、GaN基半导体本征自旋性质等方面取得了一系列在国内外同行中有一定影响的突破。先后主持和作为核心成员参加国家973计划项目，国家863计划项目，国家重点研发计划项目，国家自然科学基金重大、重点项目，教育部、北京市重点项目、以及军口项目等20多项科研课题，先后与华为、京东方、彩虹集团、广东光大集团和中国电科13所、55所等开展了一系列科研合作，承担了多个横向科研项目。迄今发表学术论文300多篇，论文被他引5000多次，主编和参与编写宽禁带半导体中英文专著4部，20多次担任本领域国际学术会议顾问委员会、程序委员会、组织委员会主席和委员，先后在国际学术会议上做邀请报告20多次，包括大会邀请报告4次，在国内学术会议上做大会邀请报告10多次，获得/申请国家发明专利80多件，其中有10多件实现了有偿转让。先后获国家技术发明二等奖、国家自然科学二等奖、江苏省科技进步一等奖和教育部科技进步一等奖，部分研究成果实现了产业化转移和国防应用。

主要论文目录

主要论文目录（50篇）：

1. J.M. Wang, N. Xie, F.J. Xu, L.S. Zhang, J. Lang, X.N. Kang, Z.X. Qin, X.L. Yang, N. Tang, X.Q.Wang, W.K. Ge, B. Shen, Group-III nitride heteroepitaxial films approaching bulk-class quality, Nature Materials, 22, 853 (2023)

2. S. Wu, X.L. Yang, H.S. Zhang, L. Shi, Q. Zhang, Q.Y. Shang, Z.M. Qi, Y. Xu, J. Zhang, N. Tang, X.Q. Wang, W.K. Ge, K. Xu and B. Shen, Unambiguous Identification of Carbon Location on the N Site in Semi-insulating GaN, Physical Review Letters, 121(14), 145505 (2018)

3. X.W. He, B. Shen, Y.H. Chen, Q. Zhang, K. Han, C.M. Yin, N. Tang, F.J. Xu, C.G. Tang, Z.J. Yang, Z.X. Qin, G.Y. Zhang and Z.G. Wang, Anomalous photogalvanic effect of circularly polarized light incident on the two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/GaN heterostructures at room temperature, Physical Review Letters, 101(14), 147402 (2008)

4. X. Rong, X.Q. Wang, S.V. Ivanov, X.H. Jiang, G. Chen, P. Wang, W.Y. Wang, C.G. He, T. Wang, T. Schulz, M. Albrecht, P. Jin, F.J. Xu, X.L. Yang, Z.X. Qin, W.K. Ge, J.J. Shi and B. Shen, High-Output-Power Ultraviolet Light Source from Quasi-2D GaN Quantum Structure, Advanced Materials, 28(36), 7978 (2016)

5. F. Liu, T. Wang, Z.H. Zhang, T. Shen, X. Rong, B.W. Sheng, L.Y. Yang, D. Li, J.Q. Wei, S.S. Sheng, X.G. Li, K.H. Liu, X.Z. Li, B. Shen and X.Q. Wang, Lattice Polarity Manipulation of Quasi-vdW Epitaxial GaN Films on Graphene Through Interface Atomic Configuration, Advanced Materials, 34(5), 2106814 (2022)

6. D. Li, S.F. Liu, Z.Y. Qian, Q.F. Liu, K. Zhou, D.D. Liu, S.S. Sheng, B.W. Sheng, F. Liu, Z.Y. Chen, P. Wang, T. Wang, X. Rong, W.K. Ge, B. Shen, and X.Q. Wang, Deep-Ultraviolet Micro-LEDs Exhibiting High Output Power and High Modulation Bandwidth Simultaneously, Advanced Materials, 34(19), 2109765 (2022)

7. J.M. Wang, M.X. Wang, F.J. Xu, B.Y. Liu, J. Lang, N. Zhang, X.N. Kang, Z.X. Qin, X.L. Yang, X.Q. Wang, W.K. Ge and B. Shen, Sub-nanometer ultrathin epitaxy of AlGaN and its application in efficient doping, Light-Science & Applications, 11(1), 71 (2022)

8. X.X. Sun, P. Wang, T. Wang, L. Chen, Z.Y. Chen, K. Gao, T. Aoki, M. Li, J. Zhang, T. Schulz, M. Albrecht, W.K. Ge, Y. Arakawa, B. Shen, and X.Q. Wang, Single-photon emission from isolated monolayer islands of InGaN, Light-Science & Applications, 9(1), 159 (2020)

9. P. Wang, Y. Yuan, C. Zhao, X.Q. Wang, X.T. Zheng, X. Rong, T. Wang, B.W. Sheng, Q.X. Wang, Y.Q. Zhang, L.F. Bian, X.L. Yang, F.J. Xu, Z.X. Qin, X.Z. Li, X.X. Zhang* and B. Shen, Lattice-Polarity-Driven Epitaxy of Hexagonal Semiconductor Nanowires, Nano Letters, 16(2), 1328 (2016)

10. S. Zhang, N. Tang, W.F. Jin, J.X. Duan, X. He, X. Rong, C.G. He, L.S. Zhang, X.D. Qin, L. Dai, Y.H. Chen, W.K. Ge and B. Shen, Generation of Rashba Spin-Orbit Coupling in CdSe Nanowire by Ionic Liquid Gate, Nano Letters, 15(2), 1152 (2015)

11. C.M. Yin, H.T. Yuan, X.Q. Wang, S.T. Liu, S. Zhang, N. Tang, F.J. Xu, Z.Y. Chen, H. Shimotani, Y. Iwasa, Y.H. Chen, W.K. Ge and B. Shen, Tunable Surface Electron Spin Splitting with Electric Double-Layer Transistors Based on InN, Nano Letters, 13(5), 2024 (2013)

12. F.C. Lu, N. Tang, S.Y. Huang, M. Larsson, I. Maximov, M. Graczyk, J.X. Duan, S.D. Liu, W.K. Ge, F.J. Xu and B.Shen, Enhanced Anisotropic Effective g Factors of an Al10.25Ga0.75N/GaN Heterostructure Based Quantum Point Contact, Nano Letters, 13(10), 4654 (2013)

13. S.S. Sheng, T. Wang, S.F. Liu, F. Liu, B.W. Sheng, Y. Yuan, D. Li, Z.Y. Chen, R.C. Tao, L. Chen, B.Q. Zhang, J.J. Yang, P. Wang, D. Wang, X.X. Sun, J.M. Zhang, J. Xu, W.K. Ge, B. Shen and X.Q. Wang, Atomic-Scale Investigation of the Lattice-Asymmetry-Driven Anisotropic Sublimation in GaN, Advanced Science, 9(22), 2106028 (2022)

14. X.C. Liu, N. Tang, S.X. Zhang, X.Y. Zhang, H.M. Guan, Y.F. Zhang, X. Qian, Y. Ji, W.K. Ge and B. Shen, Effective Manipulation of Spin Dynamics by Polarization Electric Field in InGaN/GaN Quantum Wells at Room Temperature, Advanced Science, 7(13), 1903400 (2020)

15. T. Wang, X.Q. Wang, Z.Y. Chen, X.X. Sun, P. Wang, X.T. Zheng, X. Rong, L.Y. Yang, W.W. Guo, D. Wang, X.L. Yang, F.J. Xu, W.K. Ge, X.X. Zhang and B. Shen, High-Mobility Two-Dimensional Electron Gas at InGaN/InN Heterointerface Grown by Molecular Beam Epitaxy, Advanced Science, 5(9), 1800844 (2018)

16. Z.H.Chen, X.L. Yang, X. Liu, J.F. Shen, Z.D. Cai; H.C. Yang, X.Y. Fu, M.J. Wang, N. Tang, F.J. Xu, X.Q. Wang, W.K. Ge, B.Shen, Terrace Engineering of the Buffer Layer: Laying the Foundation of Thick GaN Drift Layer on Si Substrates, Advanced Electronic Materials, 9, 2300148 (2023)

17. D.S. Liu, L. Hu, X.L. Yang, Z.H. Zhang, H.D. Yu, F.W. Zheng, Y.X. Feng, J.Q. Wei, Z.D. Cai, Z.H. Chen, C. Ma, F.J. Xu, X.Q. Wang, W.K. Ge, K.H. Liu, B. Huang and B. Shen, Polarization-Driven-Orientation Selective Growth of Single-Crystalline III-Nitride Semiconductors on Arbitrary Substrates, Advanced Functional Materials, 32(14), 2113211 (2022)

18. X.Y. Zhang, N. Tang, L.Y. Yang, C. Fang, C.H. Wan, X.C. Liu, S.X. Zhang, Y.F. Zhang, X.Q. Wang, Y. Lu, W.K. Ge, X.F. Han and B. Shen, Electrical Spin Injection into the 2D Electron Gas in AlN/GaN Heterostructures with Ultrathin AlN Tunnel Barrier, Advanced Functional Materials, 31(15), 2009771 (2021)

19. L.Y. Yang, X.Q. Wang, T. Wang, J.Y. Wang, W.J. Zhang, P. Quach, P. Wang, F. Liu, D. Li, L. Chen, S.F. Liu, J.Q. Wei, X.L. Yang, F.J. Xu, N. Tang, W. Tan, J. Zhang, W.K. Ge, X.S. Wu, C. Zhang and B. Shen, Three Subband Occupation of the Two-Dimensional Electron Gas in Ultrathin Barrier AlN/GaN Heterostructures, Advanced Functional Materials, 30(46), 2004450 (2020)

20. Y.X. Feng, X.L. Yang, Z.H. Zhang, D. Kong, J. Zhang, K.H. Liu, X.Z. Li, J.F. Shen, F. Liu, T. Wang, P.F. Ji, F.J. Xu, N. Tang, T.J. Yu, X.Q. Wang, D.P. Yu, W.K. Ge and B. Shen, Epitaxy of Single-Crystalline GaN Film on CMOS-Compatible Si(100) Substrate Buffered by Graphene, Advanced Functional Materials, 29(42), 1905056 (2019)

21. P. Wang, X.Q. Wang, T. Wang, C.S. Tan, B.W. Sheng, X.X. Sun, M. Li, X. Rong, X.T. Zheng, Z.Y. Chen, X.L. Yang, F.J. Xu, Z.X. Qin, J. Zhang, X.X. Zhang and B. Shen, Lattice-Symmetry-Driven Epitaxy of Hierarchical GaN Nanotripods, Advanced Functional Materials, 27(9), 1604854 (2017)

22. S.X. Zhang, N. Tang, X.Y. Zhang, X.C. Liu, H.M. Guan, Y.F. Zhang, X. Qian, Y. Ji, W.K. Ge and B. Shen, Excitonic effects on electron spin orientation and relaxation in wurtzite GaN, Physical Review B, 104(12), 125202 (2021)

23. N. Tang, B. Shen, K. Han, F.C. Lu, Z.X. Qin and G.Y. Zhang, Abnormal Shubnikov-de Haas oscillations of the two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/GaN heterostructures in tilted magnetic fields, Physical Review B, 79(7), 073304 (2009)

24. N. Tang, B. Shen, X.W. He, K. Han, Z.J. Yang, Z.X. Qin, G.Y. Zhang, T. Lin, B. Zhu, W.Z. Zhou, L.Y. Shang and J.H. Chu, Influence of the illumination on the beating patterns in the oscillatory magnetoresistance in AlxGa1-xN/GaN heterostructures, Physical Review B, 76(15), 155303 (2007)

25. N. Tang, B. Shen, M.J. Wang, Z.J. Yang, K. Xu, G.Y. Zhang, D.J. Chen, Y. Xia, Y. Shi, R. Zhang and Y.D. Zheng, Comment on "Spin splitting in modulation-doped AlxGa1-xN/GaN heterostructures", Physical Review B, 73(3), 037301 (2006)

26. Z.W. Zheng, B. Shen, R. Zhang, Y.S. Gui, C.P. Jiang, Z.X. Ma, G.Z. Zheng, S.L. Guo, Y. Shi, P. Han, Y.D. Zheng, T. Someya and Y. Arakawa, Occupation of the double subbands by the two-dimensional electron gas in the triangular quantum well at AlxGa1-xN/GaN heterostructures, Physical Review B, 62(12), R7739 (2000)

27. J.J. Yang, J. Wei, Y.L. Wu, M.Q.Nuo, Z.H. Chen, X.L.Yang, M.J. Wang, B. Shen, 600-V p-GaN Gate HEMT With Buried Hole Spreading Channel Demonstrating Immunity Against Buffer Trapping Effects, IEEE Electron Device Letters, 44,225 (2023)

28. Y.L. Wu, J. Wei, M.J. Wang, M.Q. Nuo, J.J. Yang, W. Lin, Z.Y. Zheng, L. Zhang, M.Y. Hua, X.L. Yang, Y.L. Hao, K.J. Chen, B. Shen, An Actively-Passivated p-GaN Gate HEMT With Screening Effect Against Surface Traps, IEEE Electron Device Letters, 44, 25 (2023)

29. W. Lin, M.J. Wang, R.Y. Yin, J. Wei, C.P. Wen, B. Xie, Y.L. Hao and B. Shen, Hydrogen-Modulated Step Graded Junction Termination Extension in GaN Vertical p-n Diodes, IEEE Electron Device Letters, 42(8), 1124 (2021)

30. Y. Li, M.J. Wang, R.Y. Yin, J. Zhang, M. Tao, B. Xie, Y.L. Hao, X.L. Yang, C.P. Wen and B. Shen, Quasi-Vertical GaN Schottky Barrier Diode on Silicon Substrate With 10(10) High On/Off Current Ratio and Low Specific On-Resistance, IEEE Electron Device Letters, 41(3), 329 (2020)

31. J.N. Gao, M.J. Wang, R.Y. Yin, S.F. Liu, C.P. Wen, J.Y. Wang, W.G. Wu, Y.L. Hao, Y.F. Jin and B. Shen, Schottky-MOS Hybrid Anode AlGaN/GaN Lateral Field-Effect Rectifier With Low Onset Voltage and Improved Breakdown Voltage, IEEE Electron Device Letters, 38(10), 1425 (2017)

32. S.X. Lin, M.J. Wang, F. Sang, M. Tao, C.P. Wen, B. Xie, M. Yu, J.Y. Wang, Y.L. Hao, W.G. Wu, J. Xu, K. Cheng and B. Shen, A GaN HEMT Structure Allowing Self-Terminated, Plasma-Free Etching for High-Uniformity, High-Mobility Enhancement-Mode Devices, IEEE Electron Device Letters, 37(4), 377 (2016)

33. S.X. Lin, M.J. Wang, B. Xie, C.P. Wen, M. Yu, J.Y. Wang, Y.L. Hao, W.G. Wu, S. Huang, K.J. Chen and B. Shen, Reduction of Current Collapse in GaN High-Electron Mobility Transistors Using a Repeated Ozone Oxidation and Wet Surface Treatment, IEEE Electron Device Letters, 36(8), 757 (2015)

34. M.J. Wang, D.W. Yan, C. Zhang, B. Xie, C.P. Wen, J.Y. Wang, Y.L. Hao, W.G. Wu and B. Shen, Investigation of Surface- and Buffer-Induced Current Collapse in GaN High-Electron Mobility Transistors Using a Soft Switched Pulsed I-V Measurement, IEEE Electron Device Letters, 35(11), 1094 (2014)

35. Y. Wang, M.J. Wang, B. Xie, C.P. Wen, J.Y. Wang, Y.L. Hao, W.G. Wu, K.J. Chen and B. Shen, High-Performance Normally-Off Al2O3/GaN MOSFET Using a Wet Etching-Based Gate Recess Technique, IEEE Electron Device Letters, 34(11), 1370 (2013)

36. S. Wu, X.L. Yang, Z.X. Wang, Z.W. Ouyang, H.Y. Huang, Q. Zhang, Q.Y. Shang, Z.H. Shen, F.J. Xu, X.Q. Wang, W.K. Ge and B. Shen, Influence of intrinsic or extrinsic doping on charge state of carbon and its interaction with hydrogen in GaN, Applied Physics Letters, 120(24), 242101 (2022)

37. Y.X. Feng, H.R. Sun, X.L. Yang, K. Liu, J. Zhang, J.F. Shen, D.S. Liu, Z.D. Cai, F.J. Xu, N. Tang, T.J. Yu, X.Q. Wang, W.K. Ge and B. Shen, High quality GaN-on-SiC with low thermal boundary resistance by employing an ultrathin AlGaN buffer layer, Applied Physics Letters, 118(5), 052104 (2021)

38. S. Wu, X.L. Yang, Q. Zhang, Q.Y. Shang, H.Y. Huang, J.F. Shen, X.G. He, F.J. Xu, X.Q. Wang, W.K. Ge and B. Shen, Direct evidence of hydrogen interaction with carbon: C-H complex in semi-insulating GaN, Applied Physics Letters, 116(26), 262101 (2020)

39. Y.X. Feng, X.L. Yang, J.P. Cheng, J. Zhang, P.F. Ji, J.F. Shen, A.Q. Hu, F.J. Xu, T.J. Yu, X.Q. Wang and B. Shen, Anisotropic strain relaxation and high quality AlGaN/GaN heterostructures on Si (110) substrates, Applied Physics Letters, 110(19), 192104 (2017)

40. A.Q. Hu, X.L. Yang, J.P. Cheng, L. Guo, J. Zhang, W.K. Ge, M.J. Wang, F.J. Xu, N. Tang, Z.X. Qin, X.Q. Wang and B. Shen, Spatial identification of traps in AlGaN/GaN heterostructures by the combination of lateral and vertical electrical stress measurements, Applied Physics Letters, 108(4), 042107 (2016)

41. J.P. Cheng, X.L. Yang, L. Sang, L. Guo, A.Q. Hu, F.J. Xu, N. Tang, X.Q. Wang and B. Shen, High mobility AlGaN/GaN heterostructures grown on Si substrates using a large lattice-mismatch induced stress control technology, Applied Physics Letters, 106(14), 142106 (2015)

42. L. Guo, X.L. Yang, Z.H. Feng, Y.J. Lv, J.P. Cheng, L. Sang, F.J. Xu, N. Tang, X.Q. Wang, W.K. Ge and B. Shen, Effects of light illumination on electron velocity of AlGaN/GaN heterostructures under high electric field, Applied Physics Letters, 105(24), 242104 (2014)

43. C.M. Yin, B. Shen, Q. Zhang, F.J. Xu, N. Tang, L.B. Cen, X.Q. Wang, Y.H. Chen and J.L. Yu, Rashba and Dresselhaus spin-orbit coupling in GaN-based heterostructures probed by the circular photogalvanic effect under uniaxial strain, Applied Physics Letters, 97(18), 181904 (2010)

44. S. Huang, B. Shen, F. Lin, N. Ma, F.J. Xu, Z.L. Miao, J. Song, L. Lu, F. Liu, Y. Wang, Z.X. Qin, Z.J. Yang and G.Y. Zhang, Ni diffusion and its influence on electrical properties of AlxGa1-xN/GaN heterostructures, Applied Physics Letters, 93(17), 172102 (2008)

45. X.W. He, B. Shen, Y.Q. Tang, N. Tang, C.M. Yin, F.J. Xu, Z.J. Yang, G.Y. Zhang, Y.H. Chen, C.G. Tang and Z.G. Wang, Circular photogalvanic effect of the two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/GaN heterostructures under uniaxial strain, Applied Physics Letters, 91(7), 071912 (2007)

46. N. Tang, B. Shen, M.J. Wang, Z.J. Yang, K. Xu, G.Y. Zhang, T. Lin, B. Zhu, W.Z. Zhou and J.H. Chu, Effective mass of the two-dimensional electron gas and band nonparabolicity in AlxGa1-xN/GaN heterostructures, Applied Physics Letters, 88(17), 172115 (2006)

47. J. Lu, B. Shen, N. Tang, D.J. Chen, H. Zhao, D.W. Liu, R. Zhang, Y. Shi, Y.D. Zheng, Z.J. Qiu, Y.S. Gui, B. Zhu, W. Yao, J.H. Chu, K. Hoshino and Y. Arakawa, Weak anti-localization of the two-dimensional electron gas in modulation-doped AlxGa1-xN/GaN heterostructures with two subbands occupation, Applied Physics Letters, 85(15), 3125 (2004)

48. Z.W. Zheng, B. Shen, Y.S. Gui, C.P. Jiang, N. Tang, R. Zhang, Y. Shi, Y.D. Zheng, S.L. Guo, G.Z. Zheng, J.H. Chu, T. Someya and Y. Arakawa, Transport properties of two-dimensional electron gas in different subbands in triangular quantum wells at AlxGa1-xN/GaN heterointerfaces, Applied Physics Letters, 82(12), 1872 (2003)

49. B. Shen, T. Someya, O. Moriwaki and Y. Arakawa, Effect of carrier confinement on photoluminescence from modulation-doped AlxGa1-xN/GaN heterostructures, Applied Physics Letters, 76(6), 679 (2000)

50. B. Shen, T. Someya and Y. Arakawa, Influence of strain relaxation of the AlxGa1-xN barrier on transport properties of the two-dimensional electron gas in modulation-doped AlxGa1-xN/GaN heterostructures, Applied Physics Letters, 76(19), 2746 (2000)

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沈波 - 搜狗百科

搜狗百科沈波，生于1981年1月，浙江舟山人。现任东华大学信息科学技术学院教授，博士生导师。曾在香港大学电机与电子工程系担任研究助理，英国布鲁奈尔大学访问博士生，获得洪堡基金资助担任德国杜伊斯堡埃森大学DFG项目研究员。连续入选上海高校特聘教授(东方学者)岗位计划、上海市青年拔尖人才计划、上海市曙光计划和上海市青年科技启明星计划等多项人才计划，并获全球2015高被引科学家称号。师从国际著名自动控制学科专家、英国布鲁奈尔大学教授和东华大学王子栋教授。一直从事随机滤波与控制理论及其应用方面的研究，在多指标随机控制与滤波、网络化控制与信号处理以及传感器网络与复杂系统等方面取得了多项研究结果，并担任培养学生的工作。网页微信知乎图片视频医疗汉语问问百科更多»登录帮助首页任务任务中心公益百科积分商城个人中心添加义项沈波是一个多义词，您可以选择查看以下义项（共29个义项）：恐龙园文化旅游集团股份有限公司董事长、第十一届江苏省政协委员综合布线专家北京大学宽禁带半导体研究中心副主任南京广播电视大学工商管理系教授南京市第五中学教师上海杨思医院医生杭州市余杭区百丈镇党委书记歌手革命烈士复旦大学放射医学研究所助理研究员内地男歌手广安市前锋区副区长安徽桐城师范高等专科学校校长上海市第九人民医院肾内科副主任医师东华大学教授中国商用飞机有限责任公司党委常委、副总经理自贡人大农业与农村委员会委员分布式资本创始人重庆长江水务集团有限公司监事宁波市住房和城乡建设局城市建设处副处长洛阳市中医院中医内科副主任医师山西省人民医院神经外科副主任医师上海市第六人民医院消化内科副主任医师江苏省肿瘤医院肿瘤内科主任医师肝胆胰外科主任医师武汉市第四医院武汉大学人民医院医疗部部长新疆自然资源厅执法局局长《少女神探》原选角导演、制片助理展开沈波编辑词条添加义项同义词收藏分享分享到QQ空间新浪微博东华大学教授沈波，生于1981年1月，浙江舟山人。现任东华大学信息科学技术学院教授，博士生导师。曾在香港大学电机与电子工程系担任研究助理，英国布鲁奈尔大学访问博士生，获得洪堡基金资助担任德国杜伊斯堡埃森大学DFG项目研究员。连续入选上海高校特聘教授（东方学者）岗位计划、上海市青年拔尖人才计划、上海市曙光计划和上海市青年科技启明星计划等多项人才计划，并获全球2015高被引科学家称号。师从国际著名自动控制学科专家、英国布鲁奈尔大学教授和东华大学王子栋教授。一直从事随机滤波与控制理论及其应用方面的研究，在多指标随机控制与滤波、网络化控制与信号处理以及传感器网络与复杂系统等方面取得了多项研究结果，并担任培养学生的工作。中文名沈波展开学术代表作Nonlinear Stochastic Systems with Incomplete Information: Filtering and Control展开出生日期1981年1月展开职称教授展开毕业院校东华大学展开专业方向控制理论与控制工程展开主要成就上海市曙光学者德国洪堡学者、2015全球高被引科学家、2013全国百优博士论文提名奖展开国籍中国展开发表论文数目40余篇（截至2019年7月）展开民族汉展开学位/学历博士展开词条标签：人物免责声明搜狗百科词条内容由用户共同创建和维护，不代表搜狗百科立场。如果您需要医学、法律、投资理财等专业领域的建议，我们强烈建议您独自对内容的可信性进行评估，并咨询相关专业人士。词条信息词条浏览：1470次最近更新：22.06.13编辑次数：5次创建者：田野上的希望突出贡献者：新手指引了解百科编辑规范用户体系商城兑换问题解答关于审核关于编辑关于创建常见问题意见反馈及投诉举报与质疑举报非法用户未通过申诉反馈侵权信息对外合作邮件合作任务领取官方微博微信公众号搜索词条编辑词条收藏查看我的收藏分享分享到QQ空间新浪微博投诉登录企业推广免责声明用户协议隐私政策编辑帮助意见反馈及投诉© SOGOU.COM 京ICP备11001839号-1 京公网安备110000020000

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教育经历

日本东北大学材料科学研究所 (IMR) —— 博士学位 —— 研究生(博士)毕业

中国科技大学 —— 物理系半导体专业 —— 硕士学位 —— 研究生(硕士)毕业

南京大学 —— 物理系半导体专业 —— 学士学位 —— 大学本科毕业

工作经历

1998.4 - 2000.3 日本东京大学产业技术研究所 (IIS) —— 研究员

2000.4 - 2004.12 南京大学物理系 —— 教授

2004.12 - 至今北京大学物理学院 —— 教授

研究领域

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1. GaN基半导体异质结构和量子阱的MOCVD外延生长和缺陷控制，

2. GaN基半导体功率电子器件研制与器件物理，

3. AlGaN基半导体深紫外发光材料和器件，

4. 新型半导体低维结构的量子输运和自旋电子学

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